Circuitos térmicos de precisión micrométrica para prevenir el sobrecalentamiento en dispositivos electrónicos

Fecha de publicación: 10/12/2024
Fuente: Agencia SINC
Lugar: Ciencia
El sobrecalentamiento de los dispositivos electrónicos afecta a su rendimiento y reduce su vida útil. Uno de los grandes desafíos actuales consiste en poder gestionar de manera eficiente el calor que generan estos sistemas durante su funcionamiento, y eso pasa por controlar la conductividad térmica de los diversos materiales que los componen.Mientras que la corriente eléctrica puede controlarse con facilidad en los materiales electrónicos convencionales, el calor plantea un reto distinto: los fonones, las partículas que transportan el calor en sólidos cristalinos, no poseen carga ni momento magnético, lo que dificulta enormemente su manipulación.Una novedosa técnica desarrollada por investigadores del Centro Singular de Investigación en Química Biolóxica e Materiais Moleculares (CiQUS) permite trazar circuitos térmicos en ciertos óxidos de hierro y cobalto, logrando regular el flujo de calor en áreas muy localizadas de estos materiales."Mediante esta técnica hemos conseguido reducir la conductividad térmica en regiones micrométricas de diversos materiales hasta un 50 %", señala Francisco Rivadulla, director del estudio y Catedrático del departamento de Química-Física de la Universidade de Santiago de Compostela (USC).

Mediante esta técnica hemos conseguido reducir la conductividad térmica en regiones micrométricas de diversos materiales hasta un 50 %
Francisco Rivadulla, USC

Como si se tratase de un grabado a muy pequeña escala, los científicos utilizaron la punta de un microscopio de fuerzas atómicas para aplicar un campo eléctrico muy localizdo sobre la superficie del material y generar patrones micrométricos con una conductividad térmica definida: "mediante la aplicación del campo eléctrico hemos podido controlar la concentración local de iones de oxígeno en el material, que actúan como una barrera para la propagación de los fonones, determinando su conductividad térmica" detalla Marcel Claro, otro de los autores del trabajo. Además del equipo liderado por Rivadulla en el CiQUS, la investigación también ha contado con la colaboración de los profesores Carlos Vázquez y Arturo López Quintela, del iMATUS.Un proceso estable y reversibleCon esta tecnología, los investigadores han conseguido aplicar campos eléctricos de millones de voltios por centímetro, lo que permite desplazar y acumular los iones negativos de oxígeno dentro del material, creando barreras artificiales para la propagación de calor."Optimizando la composición del óxido conseguimos que el proceso -la alternancia entre los distintos estados térmicos- sea estable en el tiempo", explica Noa Varela, primera autora del estudio.

Optimizando la composición del óxido conseguimos que el proceso sea estable en el tiempo
Noa Varela, primera autora del estudio.

"Las áreas con conductividad térmica reducida mantienen su estabilidad en condiciones ambientales, pero pueden revertirse mediante un leve calentamiento en aire, lo que permite reutilizar el material repitiendo el proceso de modificación de la conductividad térmica cuantas veces se quiera", añade.Electrónica térmicaEl trabajo publicado en Advanced Materials supone un nuevo paso hacia la gestión de calor en la microelectrónica, abriendo la puerta al diseño de componentes que disipen el calor de forma controlada en diversos dispositivos y sistemas de almacenamiento de energía.El objetivo general de la línea de trabajo de este grupo de investigación es conseguir sistemas capaces de controlar el flujo de calor en nano y microestructuras con la misma eficacia que los circuitos eléctricos manejan la corriente.En este contexto, los transistores térmicos que consiguen controlar el transporte de calor en respuesta a estímulos eléctricos están llamados a jugar un papel clave en la próxima generación de dispositivos.Referencia:
N. Varela-Domínguez, et al. "Electric-Field Control of the Local Thermal Conductivity in Charge Transfer Oxides". Adv. Mater.