Fecha de publicación: 04/02/2022 Fuente: WIPO "colmena" L’invention concerne un procédé de réalisation de contact ohmique, de type comportant un métal, un semi-conducteur et de l’étain, comportant : a) la formation d’une première couche (6), d’un alliage du semi-conducteur et de l’étain; b) puis, sur la première couche, la formation d’une deuxième couche (8), dudit métal ; c) un recuit laser de la première couche et de la deuxième couche à une densité d’énergie comprise entre 0.1 et 2 J/cm². Figure pour l’abrégé : 1B